对比图
型号 SIHD3N50D-E3 TK3P50D SIHD3N50D-GE3
描述 MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAKTOSHIBA TK3P50D 晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 2.4 VMOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Toshiba (东芝) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
引脚数 - 3 3
耗散功率 69W (Tc) 60 W 104 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
输入电容(Ciss) 175pF @100V(Vds) 280pF @25V(Vds) 175pF @100V(Vds)
耗散功率(Max) 69W (Tc) - 69W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 2.3 Ω 2.6 Ω
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 2.4 V 3 V
连续漏极电流(Ids) - 3A -
额定功率(Max) - 60 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
上升时间 - - 9 ns
下降时间 - - 13 ns
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -