IS61LV25616AL-10BLI和IS61LV25616AL-10BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LV25616AL-10BLI IS61LV25616AL-10BLI-TR CY7C1041CV33-10BAXA

描述 SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 3.135V 至 3.63V, Mini BGA, 48 引脚, 10 nsSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin TFBGA T/RSRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 BGA-48 TFBGA-48 FBGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 100 mA

时钟频率 - - 1 MHz

位数 16 16 16

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3.135 V 3.135 V 3 V

内存容量 500000 B 4000000 B -

针脚数 48 - -

长度 - - 8.5 mm

宽度 - - 7 mm

高度 - - 0.21 mm

封装 BGA-48 TFBGA-48 FBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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