DS1220Y-120和DS1220AB-120+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220Y-120 DS1220AB-120+ DS1220AD-120

描述 NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AB-120+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 16Kbit 120NS 24DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP EDIP-24 DIP-24

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 24 24

封装 DIP EDIP-24 DIP-24

长度 - 34.04 mm 34.04 mm

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Each Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - 4.75V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 24 -

存取时间 - 120 ns 120 ns

内存容量 - 2000 B 2000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

时钟频率 - - 120 GHz

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