FPN660和FSB560

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FPN660 FSB560

描述 PNP低饱和晶体管 PNP Low Saturation TransistorNPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-226-3 SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V

额定电流 -3.00 A 2.00 A

极性 PNP NPN

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 3A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 2V 100 @500mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 500 mW

频率 - 75 MHz

针脚数 - -

耗散功率 - 0.5 W

直流电流增益(hFE) - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

增益频宽积 - 75 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - 300

封装 TO-226-3 SOT-23-3

长度 - 2.92 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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