对比图
型号 FDPF15N65 STP80NF10 FDPF15N65YDTU
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF15N65 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道MOSFET UniFETTM 650 V， 15 A ， 440英里???? N-Channel UniFETTM MOSFET 650 V, 15 A, 440 mï
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.36 Ω 0.012 Ω 440 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 38.5 W 300 W 38.5 W
漏源极电压(Vds) 650 V 100 V 650 V
漏源击穿电压 650 V 100 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 80.0 A 15A
上升时间 125 ns 80 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 3095pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 3095pF @25V(Vds)
下降时间 65 ns 60 ns 65 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 300W (Tc) 38.5W (Tc)
针脚数 3 3 -
阈值电压 5 V 3 V -
额定功率(Max) 38.5 W 300 W -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 80.0 A -
额定功率 - 300 W -
输入电容 - 5500 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 15.87 mm 9.15 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -