JAN1N4106-1和JANTX1N4106D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4106-1 JANTX1N4106D 1N4106-1

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESDiode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

耗散功率 480 mW 500 mW 500 mW

测试电流 0.25 mA - 0.25 mA

稳压值 12 V 12 V 12 V

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - -

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