STF25NM60N和STFI26NM60N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF25NM60N STFI26NM60N STF26NM60N-H

描述 N沟道600 V , 0.130 Ω , 21 A,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , I2PAK , D2PAK , TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247600V,20A,N沟道MOSFETTO-220FP N-CH 600V 20A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 20.0 A - -

漏源极电阻 170 mΩ 165 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 40W (Tc) 30 W 30W (Tc)

输入电容 2.54 nF - -

栅电荷 84.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A 20A

上升时间 18 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 40 W - -

下降时间 24 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc)

通道数 - 1 1

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

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