BC849BLT1G和BC849BLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC849BLT1G BC849BLT3G BC849BLT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC849BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE通用晶体管 General Purpose Transistors通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 290 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - -

增益频宽积 - - 100 MHz

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

高度 - - 0.94 mm

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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