MMBT6428和MMBT6428LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6428 MMBT6428LT1G MMBT6517LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6428  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT6428LT1G  双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT6517LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 700 MHz 700 MHz 200 MHz

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 350 V

额定电流 500 mA 200 mA 500 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 350 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.2A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V 20 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 650 650 -

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 250 250 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.11 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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