对比图
型号 IRFS4310 STB120NF10T4 IRFS4310PBF
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3Pin(2+Tab) D2PAKSTMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 N沟道MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 140 A 120 A -
漏源极电阻 5.60 mΩ 0.0105 Ω 0.0056 Ω
耗散功率 330 W 312 W 300 W
产品系列 IRFS4310 - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100V (min) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 140 A 110 A 130A
上升时间 110 ns 90 ns 110 ns
针脚数 - 3 -
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 5200 pF -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
输入电容(Ciss) - 5200pF @25V(Vds) 7670pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 312 W 300 W
下降时间 - 68 ns 78 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 312000 mW 300000 mW
额定功率 - - 330 W
通道数 - - 1
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 9.35 mm 9.65 mm
高度 - 4.6 mm 4.83 mm
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
重量 - 0.013607772 kg -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)