对比图
型号 LT1013DDR LT1013DN8#PBF LT1013IS8#PBF
描述 TEXAS INSTRUMENTS LT1013DDR 芯片, 精密运算放大器, 2路LINEAR TECHNOLOGY LT1013DN8#PBF 运算放大器, 双路, 800 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚LINEAR TECHNOLOGY LT1013IS8#PBF 运算放大器, 双路, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Linear Technology (凌力尔特) Linear Technology (凌力尔特)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8
供电电流 350 µA 350 µA 350 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 8
共模抑制比 97 dB - -
输入补偿漂移 500 nV/K - -
带宽 1 MHz 800 kHz 10 Hz
转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs
增益频宽积 1 MHz - -
输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV
输入偏置电流 15 nA 15 nA 15 nA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
增益带宽 1 MHz - -
共模抑制比(Min) 97 dB 97 dB 97 dB
电源电压 5V ~ 30V 4V ~ 44V -
电源电压(Max) 44 V - -
电源电压(Min) 4 V - -
电源电压(DC) - 15.0 V -
长度 4.9 mm 10.16 mm 5 mm
宽度 3.91 mm 6.477 mm 3.988 mm
高度 1.58 mm 3.81 mm 1.498 mm
封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Each Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC