PN2222ABU和PN2222ATA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PN2222ABU PN2222ATA MPS2222AG

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2222ABU  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2222ATA  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MPS2222AG  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 500 mA 1.00 A 600 mA

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 1A 1A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 - 300

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 35 300 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

额定功率 625 mW 625 mW -

长度 5.2 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 3.93 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Box Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台