J112和J112RLRAG

对比图

型号 J112 J112RLRAG J112G

描述 JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - Depletion

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 50 Ω

耗散功率 350 mW 350 mW 350 mW

击穿电压 35 V 35 V 35 V

额定功率(Max) 625 mW 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW 350 mW

额定电压(DC) - 35.0 V 35.0 V

额定电流 - 50.0 mA 50.0 mA

击穿电压 - 35.0 V -35.0 V

极性 - N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) - 35.0 V 35.0 V

栅源击穿电压 - 35 V 35.0 V

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99