L6569和L6569AD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6569 L6569AD L6571BD

描述 STMICROELECTRONICS  L6569  双功率芯片, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8STMICROELECTRONICS  L6569AD  双功率芯片, 半桥+振荡器, 10V-16.6V电源, 270mA输出, 延迟, SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6571BD  双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 0.2 MHz - -

电源电压(DC) 16.6V (max) 16.6V (max) -

输出接口数 2 2 2

输出电压 618 V 618 V 618 V

输出电流 175 mA - -

供电电流 25.0 mA 25.0 mA 25.0 mA

通道数 2 - -

针脚数 8 8 8

输出电压(Max) 618 V 618 V 618 V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

长度 10.92 mm 5 mm 5 mm

宽度 6.6 mm 4 mm 4 mm

高度 3.32 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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