对比图



型号 FJV3103RMTF MMUN2212LT1G FJV3103R
描述 ON Semiconductor FJV3103RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR MMUN2212LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -
耗散功率 200 mW 0.4 W -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -
最小电流放大倍数(hFE) 56 60 @5mA, 10V -
额定功率(Max) 200 mW 246 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
增益带宽 200 MHz - -
耗散功率(Max) 200 mW 400 mW -
额定电压(DC) - 50.0 V -
额定电流 - 100 mA -
无卤素状态 - Halogen Free -
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 100mA -
最大电流放大倍数(hFE) - 60 -
长度 2.92 mm 2.9 mm -
宽度 1.3 mm 1.3 mm -
高度 0.93 mm 0.94 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -