对比图
型号 IRFS52N15DPBF IRFS52N15DTRLP IRFS4321PBF
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 150V 51AINFINEON IRFS4321PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 0.012 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 320 W 320 W 330 W
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.032 Ω - 0.012 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 320 W 3.8W (Ta), 230W (Tc) 330 W
阈值电压 5 V - 5 V
输入电容 2770 pF - 4460pF @50V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 51A 51A 83A
上升时间 47 ns 47 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 2770pF @25V(Vds) 2770pF @25V(Vds) 4460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W 350 W
下降时间 25 ns 25 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 230W (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) 350W (Tc)
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17