PDTB123ET和PDTB123TT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTB123ET PDTB123TT PDTB123ET,235

描述 PNP 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。单电阻器数字晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。Small Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 TO-236 -

最小电流放大倍数(hFE) 40 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

针脚数 3 - -

极性 PNP - -

耗散功率 250 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - -

集电极最大允许电流 500mA - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

长度 3 mm 3 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-23 TO-236 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) - -

RoHS标准 RoHS Compliant -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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