JAN2N3019和JANS2N3019

对比图

型号 JAN2N3019 JANS2N3019 2N3019

描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORNTE ELECTRONICS  2N3019  收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-5 TO-39

耗散功率 0.8 W 0.8 W 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V 50 @500mA, 10V -

额定功率(Max) 800 mW 800 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW -

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

直流电流增益(hFE) - - 300

封装 TO-39 TO-5 TO-39

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -