IAUT300N10S5N015ATMA1和IPT020N10N3ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IAUT300N10S5N015ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 IPT015N10N5ATMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPT020N10N3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 VN沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 9 8 9

封装 PG-HSOF-8 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1

额定功率 - 375 W 375 W

通道数 - 1 1

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0013 Ω 0.0017 Ω 0.0013 Ω

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 375 W 375 W 375 W

阈值电压 3 V 2.7 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 300A 300A

上升时间 15 ns 58 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 12316pF @50V(Vds) 11200pF @50V(Vds) 16000pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 375 W 375 W

下降时间 48 ns 18 ns 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW 375W (Tc) 375W (Tc)

输入电容 - - 12 nF

长度 - 10.58 mm -

宽度 - 10.1 mm 10.1 mm

高度 - 2.4 mm -

封装 PG-HSOF-8 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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