对比图
型号 APT50GF120B2RG APT60GT60BRG IXGX120N60B
描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesIGBT 600V 200A 660W TO247
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 1.20 kV 600 V 600 V
额定电流 156 A 100 A 200 A
上升时间 - - 45.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 781 W 500 W 660 W
耗散功率 - 500000 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 781000 mW 500000 mW -
宽度 - - 5.21 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -