对比图
型号 FDS8333C FDS8333C_NL
描述 30V N" P沟道PowerTrench MOSFET的 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETsSOIC N+P 30V 4.1A/3.4A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC
引脚数 8 -
极性 N-Channel, P-Channel N+P
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 3.40 A 4.1A/3.4A
额定电流 4.10 A -
漏源极电阻 80 mΩ -
耗散功率 2 W -
阈值电压 1.7 V -
输入电容 185 pF -
栅电荷 4.10 nC -
漏源击穿电压 ±30.0 V -
上升时间 13.0 ns -
输入电容(Ciss) 282pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 900 mW -
封装 SOIC-8 SOIC
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 -