FDS8333C和FDS8333C_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8333C FDS8333C_NL

描述 30V N" P沟道PowerTrench MOSFET的 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETsSOIC N+P 30V 4.1A/3.4A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 -

极性 N-Channel, P-Channel N+P

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 4.1A/3.4A

额定电流 4.10 A -

漏源极电阻 80 mΩ -

耗散功率 2 W -

阈值电压 1.7 V -

输入电容 185 pF -

栅电荷 4.10 nC -

漏源击穿电压 ±30.0 V -

上升时间 13.0 ns -

输入电容(Ciss) 282pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 900 mW -

封装 SOIC-8 SOIC

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -

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