AUIRF1404Z和IRF1404PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF1404Z IRF1404PBF IRF1404ZPBF

描述 INFINEON  AUIRF1404Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 2.7 mohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRF1404PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1404ZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 190A, TO-220AB 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 75.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0027 Ω 0.004 Ω 0.0037 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200 W 220 W

产品系列 - - IRF1404Z

阈值电压 2 V 4 V 4 V

输入电容 - 5669 pF 4340pF @25V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 180A 202A 190 A

上升时间 110 ns 190 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) 5669pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 333 W 200 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 200 W 200 W -

下降时间 58 ns 33 ns -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 333W (Tc) -

通道数 1 - -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

高度 16.51 mm 8.77 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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