对比图
型号 BSC076N06NS3G FDMS86520L FDMS86520
描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDSON Power-56-8 Power-56-8
通道数 - 1 1
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0067 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 - 69 W 2.5 W
阈值电压 - 1.8 V -
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 13.5A 14A
上升时间 40 ns 5.6 ns 6.7 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @30V(Vds) 4615pF @30V(Vds) 2850pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 5 ns 3.4 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 69 W 69 W 2.5W (Ta), 69W (Tc)
长度 5.49 mm 5 mm 5.1 mm
宽度 6.35 mm 6 mm 6.25 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm 1.05 mm
封装 TDSON Power-56-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -