对比图
型号 IRF540NPBF STP30NF10 IRF530NPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新STMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF530NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB 新
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 27.0 A 35.0 A 17.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.044 Ω 0.045 Ω 0.09 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 115 W 70 W
产品系列 IRF540N - IRF530N
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 1960pF @25V - 920pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 35.0 A 17.0 A
上升时间 35 ns 40 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 115 W 70 W
下降时间 35 ns 10 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 115W (Tc) 70000 mW
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
额定功率 - 115 W -
长度 10.54 mm 10.4 mm 10.54 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm -
高度 15.24 mm 9.15 mm 15.24 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -