KSH200和MJD200T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH200 MJD200T4G MJD200G

描述 D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount ApplicationsON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

频率 - 65 MHz 65 MHz

额定电压(DC) - 25.0 V 25.0 V

额定电流 - 5.00 A 5 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 12.5 W 1.4 W

增益频宽积 - - 65 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

热阻 - - 10℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) - 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) - 1.4 W 1.4 W

直流电流增益(hFE) - 70 65

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1400 mW 1400 mW

额定功率 - 1.4 W -

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2018/01/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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