MJD44H11G和MJD44H11T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD44H11G MJD44H11T4G MJD44H11TM

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD44H11TM  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 85 MHz 85 MHz 50 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 20 W

增益频宽积 - - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 400

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 60 60 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

热阻 6.25℃/W (RθJC) - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 0.25 in

宽度 6.22 mm 6.22 mm 0.25 in

高度 2.38 mm 2.38 mm 0.25 in

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

重量 - - 0.118101853188 kg

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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