FJAF6810ATU和FJAF6810D

对比图

型号 FJAF6810ATU FJAF6810D FJAF6810

描述 Trans GP BJT NPN 750V 10A 3Pin(3+Tab) TO-3pF RailNPN型三重扩散平面硅晶体管 NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorPower Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-3 TO-3 -

额定电压(DC) 750 V - -

额定电流 10.0 A - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 60 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 750 V 750 V -

集电极最大允许电流 10A 10A -

最小电流放大倍数(hFE) 5 @6A, 5V 7 @1A, 5V|5 @6A, 5V -

额定功率(Max) 60 W - -

耗散功率(Max) 60 W - -

封装 TO-3 TO-3 -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -