IRF5800TRPBF和ZXM62P02E6TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5800TRPBF ZXM62P02E6TA FDC658P

描述 Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 6Pin TSOP T/RTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A Automotive 6Pin SOT-23 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658P  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

额定功率 2 W - -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 1.7 W 1.6 W

产品系列 IRF5800 - -

漏源极电压(Vds) -30.0 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) -4.00 A 2.30 A -4.00 A

额定电压(DC) - -20.0 V -30.0 V

额定电流 - -1.60 A -4.00 A

漏源极电阻 - 375 mΩ 0.041 Ω

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±20.0 V

上升时间 - 15.4 ns 14 ns

输入电容(Ciss) - 320pF @15V(Vds) 750pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 1.1 W 800 mW

下降时间 - 19.2 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.1W (Ta) 1.6W (Ta)

针脚数 - - 6

输入电容 - - 750 pF

栅电荷 - - 8.00 nC

漏源击穿电压 - - -30.0 V

封装 TSOP-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

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