BQ4011YMA-70和BQ4011YMA-70N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4011YMA-70 BQ4011YMA-70N M48Z35Y-70PC1

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMSTMICROELECTRONICS  M48Z35Y-70PC1  芯片, 非易失性存储器 10年内部电池供电 256K

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA - 50 mA

针脚数 - - 28

时钟频率 70.0 GHz - 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 256000 B 32000 B 32000 B

存取时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 - - 39.88 mm

宽度 - - 18.34 mm

高度 - - 8.89 mm

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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