对比图
型号 APT5016BLLG IXFH30N50P IXFH30N40Q
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 VTO-247AD N-CH 400V 30A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 0.2 Ω 160 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 329 W 460 W 300 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 400 V
漏源击穿电压 - 500 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A
上升时间 10 ns 24 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 2833pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 24 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 329W (Tc) 460W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 30.0 A 30.0 A -
输入电容 2.83 nF 4.15 nF -
栅电荷 72.0 nC 70.0 nC -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 5 V -
反向恢复时间 - 200 ns -
额定功率(Max) - 460 W -
长度 - - 16.26 mm
宽度 - 5.3 mm 5.3 mm
高度 - - 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
重量 - - 6.00 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -