STP40NF12和STP5NK100Z

对比图

型号 STP40NF12 STP5NK100Z NTP52N10G

描述 N沟道120V ​​- 0.028W - 40A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V60A,100V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 120 V 1.00 kV 100 V

额定电流 40.0 A 3.50 A 52.0 A

额定功率 - 125 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.032 Ω 3.7 Ω 30.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 125 W 214W (Tc)

阈值电压 2.8 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 120 V 1 kV 100 V

漏源击穿电压 120 V 1.00 kV 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 160 A 3.50 A 60.0 A

上升时间 63 ns 7.7 ns 95.0 ns

输入电容(Ciss) 1880pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 3150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 125 W 214 W

下降时间 28 ns 19 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 125W (Tc) 214W (Tc)

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99