IRF8736TRPBF和SI4634DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8736TRPBF SI4634DY-T1-GE3 IRF8736PBF

描述 INFINEON  IRF8736TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0039 ohm, 10 V, 1.8 VVISHAY  SI4634DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 24.5A, SOIC, 整卷INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8736PBF  场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0039 Ω 6.7 mΩ 4.8 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - - IRF8736

阈值电压 1.8 V 2.6 V 1.8 V

输入电容 2315 pF - 2315pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18A 24.5 A 18.0 A

输入电容(Ciss) 2315pF @15V(Vds) - 2315pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -

上升时间 15 ns - -

下降时间 7.5 ns - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 4 mm 3.9 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17

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