对比图
型号 DMP2066LSN-7 SI2399DS-T1-GE3
描述 DMP2066LSN-7 编带晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.028 ohm, -10 V, -600 mV
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) VISHAY (威世)
分类 MOS管RF模块、IC及配件
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.028 Ω
极性 P-CH P-Channel
耗散功率 1.25 W 1.25 W
阈值电压 - 600 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 4.6A 5.1A
上升时间 9.9 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 820pF @15V(Vds) 835pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.25 W 2.5 W
下降时间 23.4 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 1250 mW
通道数 1 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
宽度 1.7 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC