MJD112-001和MJD112-1G

对比图

型号 MJD112-001 MJD112-1G MJD112-1

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD112-1G  晶体管, NPNPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Samsung (三星)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 2.00 A 2.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 20 W 20 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W -

直流电流增益(hFE) - 12000 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) -

耗散功率(Max) 1750 mW 20 W -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 2.38 mm -

高度 6.35 mm 6.35 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -