对比图
型号 MSD1328-RT1G MSD602-RT1G BC858BWT1G
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 25V NPNNPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface MountPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-59-3 SC-59-3 SC-70-3
额定电压(DC) 20.0 V 50.0 V -30.0 V
额定电流 -500 mA 100 mA -100 mA
极性 N-Channel, NPN NPN PNP
耗散功率 200 mW 200 mW 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 50 V 30 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V 120 @150mA, 10V 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 150 mW
针脚数 - 3 3
直流电流增益(hFE) - 40 220
频率 - - 100 MHz
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.2 mm
宽度 1.5 mm 1.5 mm 1.35 mm
高度 1.09 mm 1.09 mm 0.9 mm
封装 SC-59-3 SC-59-3 SC-70-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99