对比图
描述 STMICROELECTRONICS BD139-10 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFESTMICROELECTRONICS BD139-16 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFEPNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 25
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
直流电流增益(hFE) 40 40 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 1.50 A
集电极最大允许电流 - - 1.5A
长度 7.8 mm 7.8 mm 7.74 mm
宽度 2.7 mm 2.7 mm 2.66 mm
高度 10.8 mm 10.8 mm 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99