对比图
型号 FDP2710 IRFB4229PBF
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON IRFB4229PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 250 V, 0.038 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 330 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.038 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 260 W 330 W
阈值电压 - 5 V
输入电容 - 4560pF @25V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 50A 46A
输入电容(Ciss) 7280pF @25V(Vds) 4560pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 260 W 330 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 260W (Tc) 330W (Tc)
上升时间 252 ns -
下降时间 154 ns -
长度 10.67 mm 10.66 mm
宽度 4.83 mm 4.82 mm
高度 16.51 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17