FDD050N03B和FDD86102

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD050N03B FDD86102

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 5.2 mΩ 0.019 Ω

耗散功率 65 W 62 W

阈值电压 - 3.1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 100 V

上升时间 4.5 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 2875pF @15V(Vds) 1035pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 65 W 3.1 W

下降时间 4.5 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 65W (Tc) 62 W

通道数 1 1

极性 N-CH N-Channel

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 90A 8A

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

材质 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

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