CSD17551Q5A和IRFH7914TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17551Q5A IRFH7914TRPBF IRFH8334TR2PBF

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD17551Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRFH7914TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.8 VQFN N-CH 30V 14A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 QFN-8 QFN-8

漏源极电阻 0.007 Ω 0.0075 Ω 0.0072 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3 W 3.1 W 3.2 W

阈值电压 1.7 V 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.5A 15A 14A

上升时间 15.5 ns 11 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1272pF @15V(Vds) 1160pF @15V(Vds) 1180pF @10V(Vds)

下降时间 4.3 ns 4.6 ns 4.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3.1W (Ta) 3.2W (Ta), 30W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 8 8 -

额定功率(Max) 3 W 3.1 W -

额定功率 - 3.1 W -

封装 PowerTDFN-8 QFN-8 QFN-8

宽度 4.9 mm 5 mm -

长度 - 6 mm -

高度 - 0.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

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