对比图
描述 RF功率晶体管的LDMOST系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILYRF功率晶体管的LdmoSTFAMILY RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Flange Surface Mount
引脚数 5 5 5
封装 M-252 M-252 M-246
频率 860 MHz 960 MHz 860 MHz
额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V
额定电流 14 A 14 A 14 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 236000 mW 236000 mW 217 W
输入电容 221 pF 169 pF 82.0 pF
漏源极电压(Vds) 65 V 65.0 V 60 V
漏源击穿电压 65.0 V 65.0V (min) 65 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A
输出功率 120 W 120 W 100 W
增益 16 dB 14 dB 16 dB
测试电流 400 mA 800 mA 400 mA
输入电容(Ciss) 221pF @28V(Vds) 169pF @28V(Vds) 82pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 236000 mW 236000 mW 217000 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
输出功率(Max) - 120 W 100 W
封装 M-252 M-252 M-246
长度 - - 29.08 mm
宽度 - - 5.97 mm
高度 - - 5.08 mm
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃