STW20N95K5和STW25N95K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW20N95K5 STW25N95K3 STW27NM60ND

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V600V,21A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.275 Ω 0.32 Ω 130 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 250 W 400 W 160W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 950 V 950 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 17.5A - -

上升时间 12 ns 29 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @100V(Vds) 3680pF @100V(Vds) 2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 250 W 400 W 160 W

下降时间 20 ns 59 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250W (Tc) 400W (Tc) 160W (Tc)

漏源击穿电压 - - 600 V

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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