对比图
型号 FDB5800 HUF76445S3S NTB75N06T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB5800 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1 V75A ， 60V ， 0.0075 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET75A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 75.0 A 75.0 A
漏源极电阻 0.0046 Ω 6.50 mΩ 9.50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 242 W 310W (Tc) 214 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 20.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 75.0 A 75.0 A
上升时间 22 ns - 112 ns
输入电容(Ciss) 6625pF @15V(Vds) 4965pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 242 W 310 W 2.4 W
下降时间 12.1 ns - 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 242 W 310W (Tc) 2.4 W
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
阈值电压 1 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
宽度 11.33 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99