FDS8926A和NDS9925A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8926A NDS9925A IRF7311

描述 双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSOIC N-CH 20V 6.6A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 20.0 V 20.0 V

额定电流 5.50 A 4.50 A 6.60 A

电容 - 25.0 pF -

输出电流 - ≤6.00 A -

漏源极电阻 30 mΩ 60.0 mΩ -

极性 Dual N-Channel Standard Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 20.0 V

漏源击穿电压 30.0 V 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 4.50 A 6.60 A

额定功率(Max) 900 mW 900 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

产品系列 - - IRF7311

上升时间 19.0 ns - 17 ns

输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) - 900pF @15V(Vds)

下降时间 - - 31 ns

耗散功率(Max) 900 mW - 2000 mW

阈值电压 670 mV - -

输入电容 900 pF - -

栅电荷 19.8 nC - -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司