对比图
型号 FDS6612A PHK12NQ03LT,518 IRF7403TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VPHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1INFINEON IRF7403TRPBF 场效应管, MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 8.40 A - 8.50 A
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.019 Ω 0.0089 Ω 0.035 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.9 V 2 V 1 V
输入电容 560 pF - -
栅电荷 5.40 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 8.40 A 11.8 A 8.50 A
上升时间 5 ns 11.7 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 560pF @15V(Vds) 1335pF @16V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 3 ns 19 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.5W (Ta)
额定功率 - - 2.5 W
产品系列 - - IRF7403
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.45 mm 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -