对比图
型号 FDC855N STT6N3LLH6 SI3456CDV-T1-GE3
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC855N, 6.1 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSmall Signal Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 -
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 -
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.0207 Ω 0.021 Ω -
耗散功率 1.6 W 1.6 W -
阈值电压 2 V 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
上升时间 2 ns 11.2 ns -
输入电容(Ciss) 493pF @15V(Vds) 283pF @24V(Vds) -
额定功率(Max) 800 mW 1.6 W -
下降时间 2 ns 5.4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.6 W 1.6W (Tc) -
长度 3 mm 3.05 mm -
宽度 1.7 mm 1.75 mm -
高度 1 mm 1.3 mm -
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -