对比图
型号 IRFZ44ZSPBF PSMN015-60BS IRFZ44ZSTRRPBF
描述 INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VNXP PSMN015-60BS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
额定功率 80 W - 80 W
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0139 Ω 0.0126 Ω 0.0111 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 86 W 80 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55 V - -
连续漏极电流(Ids) 51A - 51A
上升时间 68 ns - 68 ns
输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1220pF @30V(Vds) 1420pF @25V(Vds)
下降时间 41 ns - 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80000 mW 86 W 80W (Tc)
额定功率(Max) - - 80 W
长度 10.67 mm 10.3 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 11 mm 11.3 mm
高度 4.83 mm 4.5 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -