DMN3190LDW-13和DMN3190LDW-7

对比图

型号 DMN3190LDW-13 DMN3190LDW-7

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6Pin SOT-363 T/RDMN3190LDW-7 编带

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363-6 SC-70-6

通道数 2 2

漏源极电阻 190 mΩ 190 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 0.4 W 0.4 W

阈值电压 2.8 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1A 1A

上升时间 8.9 ns 8.9 ns

正向电压(Max) 1.2 V -

输入电容(Ciss) 87pF @20V(Vds) 87pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 320 mW 320 mW

下降时间 15.6 ns 15.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 320 mW

针脚数 - 6

封装 SOT-363-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free