BF513和BF513-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF513 BF513-T BF513,215

描述 N-沟道硅音响场效晶体管 N-channel silicon field-effect transistorsTRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small SignalN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23-3 - SOT-23-3

频率 100 MHz - 100 MHz

额定电流 30 mA - 30 mA

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 250 mW

漏源极电压(Vds) - - 20 V

测试电流 5 mA - 5 mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 250 mW

额定电压 20 V - 20 V

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

封装 SOT-23-3 - SOT-23-3

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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