对比图
型号 NGD8205ANT4G NGD8205NT4G
描述 ON SEMICONDUCTOR NGD8205ANT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 350 V, TO-252, 3 引脚点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
无卤素状态 Halogen Free -
针脚数 3 -
耗散功率 125 W 125000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 390 V 390 V
额定功率(Max) 125 W 125 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 125000 mW
额定电压(DC) - 350 V
额定电流 - 20.0 A
输出接口数 - 1
高度 2.38 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99