MCP14E6-E/P和MCP14E8-E/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E6-E/P MCP14E8-E/SN LM5100BMAX/NOPB

描述 2.0 A 双 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 PDIP8 -40C to +125CMICROCHIP  MCP14E8-E/SN.  芯片, MOSFET驱动器, SOIC-83A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 12ns, 15ns 12ns, 15ns 570ns, 430ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 2 A 2 A 2 A

静态电流 - - 200 µA

上升时间 35ns (Max) 35ns (Max) 570 ns

下降时间 40ns (Max) 40ns (Max) 430 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 430 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns 570 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 18 V 18 V 14 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 9 V

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) -

工作电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V -

输出电压 - 18 V -

通道数 2 2 -

针脚数 - 8 -

输入电流 - 1 µA -

耗散功率 1.12 W 699 mW -

耗散功率(Max) 1120 mW 669 mW -

长度 10.16 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 7.11 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 4.95 mm 1.25 mm 1.5 mm

封装 PDIP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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